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        6. 晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的認(rèn)識(shí)及理解
          • 發(fā)布時(shí)間:2021-09-06 20:14:42
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          晶體管與場(chǎng)效應(yīng)管的認(rèn)識(shí)及理解
          為什么要把晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管一起講,因?yàn)樗麄內(nèi)菀谆煜黄鹫f(shuō)明更容易區(qū)別學(xué)習(xí)。
          首先 晶體管。
          我們也稱(chēng)為三極管,分為PNP、和NPN型。在工藝上通常是一個(gè)半導(dǎo)體注入5價(jià)元素或3價(jià)元素來(lái)制作PNP或者NPN。
          晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管
          結(jié)構(gòu)如上圖
          一般是使用硅管或者鍺管,而且固定壓降是0.7v和0.3v。也就是說(shuō)當(dāng)三極管正常工作時(shí)時(shí)Ube = 0.7v/0.3V
          各個(gè)級(jí)的英文單詞,方便記憶。e:elimt 發(fā)射,c:collect收集 b:base。
          三極管會(huì)有三個(gè)狀態(tài):放大、截至、飽和。
          放大狀態(tài):當(dāng)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏時(shí),即UB<UC, UB>UE ,發(fā)射級(jí)的電子成功發(fā)射到集電極,這個(gè)時(shí)候,由ib控制ic,ic=βib(β為放大系數(shù)),所以三極管也叫電流控制電流的器件。這個(gè)時(shí)候,ic只受ib的控制(因?yàn)榧姌O電路影響很小,近似認(rèn)為只受)
          截至狀態(tài):Ib=0,ic=0,或者發(fā)射結(jié)反偏都時(shí)截至狀態(tài),這個(gè)時(shí)候集電極和發(fā)射極都相當(dāng)于開(kāi)路。
          飽和狀態(tài):發(fā)射極和集電極都正偏處于飽和狀態(tài)。這個(gè)時(shí)候ic不在受ib的控制,并且uce所占電壓很小,相當(dāng)于導(dǎo)線(xiàn),工程上我們認(rèn)為硅飽和導(dǎo)通uce的壓降為0.3v,鍺管為0.1v。
          第二主角:場(chǎng)效應(yīng)管
          我們也稱(chēng)mos管,它是一種電壓控制電流的器件,有三個(gè)級(jí),柵級(jí)g、漏極d、源極s。
          晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管
          分為三個(gè)形態(tài),我們著重講增強(qiáng)型。
          增強(qiáng)型的場(chǎng)效應(yīng)管,有四個(gè)區(qū),分別為截至區(qū),可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和過(guò)損耗區(qū)。
          可變電阻區(qū)特點(diǎn):當(dāng)Uds較小時(shí),Id隨Ugs增大而增大。
          恒流區(qū):當(dāng)Ugs一定時(shí),Uds對(duì)id的影響很小。
          截止區(qū):當(dāng)電壓小于開(kāi)啟電壓1.5v時(shí),mos不工作。
          擊穿區(qū):當(dāng)uDS達(dá)到一定值時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管被擊穿,ID突然增大。管子很容易燒壞。
          過(guò)損耗區(qū):id和uds都比較高,長(zhǎng)期處于這種狀態(tài),沒(méi)有很好的散熱措施,很可能由于功率較大,管子燒壞。
          而耗盡型和增強(qiáng)型的區(qū)別就在于,當(dāng)ug=0是,耗盡型ds相當(dāng)于導(dǎo)通,而增強(qiáng)有開(kāi)啟電壓。
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